2014年1月9日,应华中科技大学创新电机技术研究中心的邀请，IEEE Fellow，美国俄亥俄州立大学电气工程学院终身教授徐隆亚教授来校访问。在电气学院西九楼224会议室做题为“High Voltage SiC Power Electronic Technologies –Technical Survey”的学术讲座。

   徐教授在讲座中向我们介绍了电力电子器件的发展历程以及在现今的对电力电子器件的期望。大家都期望电力电子器件有更高的电压等级，更高的开关频率，更高的高温耐受力和更高的效率。SiC MOSFET技术的发展正好满足了这些需求。徐教授讲述了SiC MOSFET的结构和制作工艺，也比较了和普通Si IGBT的性能，体现了SiC MOSFET的优势。

   之后徐教授讲述了光敏15kV/100A的SiC ETO和ETO的优点和GTO的发展和改进。SiC的禁带宽达到2.2eV（3C-SiC)和3.3eV(4H-SiC),远高于Si（1.1eV），SiC电力电子器件能做到：工作温度高，可达到600℃，热导率高，电子饱和漂移速度高，击穿电场高，高电流密度，本征载流子浓度低。因此SiC作为功率电子器件性能优于第一代半导体Ge和Si，成为工作温度高、功率密度高、超过兆瓦的高温、高频、高压大功率电子器件。

徐隆亚教授简介

湖南工程学院1969年7月毕业的优秀校友，毕业后分配在湖南大学校办工厂担任技术工作，1982年7月被录取为中国科学院研究生，在美国威斯康星——麦迪逊大学（University of Wisconsin Madison）代培，1986年获得硕士学位，随后，继续在该校深造，1990年获博士学位，此后任教于美国俄亥俄州州立大学（The Ohio State University）电气工程学院，在国际学术界有广泛影响。是美国电机电子工程师协会终生会员(IEEE Fellow)、IEEE/IAS工业应用学会电机委员会主席、IEEE电力电子学报副主编等，多次应邀在国际学术会议中担任重要职务，现任中国电科院教授、华中科技大学、浙江大学、湖南工程学院等院校的客座教授。

2010年10月19日，中央“兼职人选”徐隆亚教授到中国电科院工作，院长郭剑波，党组书记杨新法，副院长王力科等与徐隆亚教授亲切会谈。按照中央“兼职人选”(短期项目) 相关政策及合同约定，徐隆亚教授将每年在中国电科院工作2个月，开展“开发与智能电网相关产品和技术服务”研究工作。

   学术成就：

   徐隆亚教授曾任美国俄亥俄州立大学工程学院终身正教授，高性能电力电子研究中心主任和智能电网中心副主任，IEEE FELLOW，曾担任IEEE/IAS工业应用学会电机委员会秘书长、副主席、主席，IEEE电力电子学报副主编，现为IEEE/IAS工业应用学会执行委员。徐隆亚教授主要研究领域为变速驱动器和变速发电系统，及其在航空、汽车、新能源生物工程等领域的广泛应用，为美国GE、GM、Boeing、Ford等各大公司承担科研项目三十余项，获得优秀科研启动奖、教授级杰出科研成就奖等5项荣誉奖励并拥有4项美国专利，发表近200篇IEEE学术论文。